四氟化碳產品說明：

四氟化碳產品說明:

四氟化碳是不燃燒的無色、無味的壓縮氣體，充裝于四氟化碳鋼瓶中，飽和蒸汽壓約壓力2000 psig。四氟化碳是目前微電子工業中用量最大的等離子蝕刻氣體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗，太陽能電池的生產，激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態，印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。由于四氟化碳的化學穩定性，四氟化碳可用于金屬冶煉，例如：銅、不銹鋼，碳鋼、鋁、蒙乃爾等；還可用于塑料行業；如：合成橡膠、氯丁橡膠、聚氨基甲酸乙酯。

四氟化碳四氟化碳用途

四氟化碳是目前微電子工業中用量最大的等離子燭刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體。
1：在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、
泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。
2：可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。
3：由于化學穩定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。
4.：四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。

四氟化碳注意事項: 

四氟化碳是不燃性壓縮氣體。儲存于陰涼、通風倉間內。倉內溫度不宜超過60℃。遠離火種、熱源。防止陽光直射。應與易燃或可燃物分開存放。驗收時要注意品名，注意驗瓶日期，先進倉的先發用。搬運四氟化碳時輕裝輕卸，防止鋼瓶及附件破損。泄漏時，應迅速撤離泄漏污染區人員至上風處，并進行隔離，嚴格限制出入。建議應急處理人員戴自給正壓式呼吸器，穿一般作業工作服。盡可能切斷泄漏源。合理通風，加速擴散。如有可能，即時使用。漏氣容器要妥善處理，修復、檢驗后再用。
四氟化碳的物理化學性質分子量：88.005

熔點(101.325kPa)：    -186.8℃
沸點(101.325kPa)：    -128.0℃
液體密度(-127.94℃，101.325kPa)：1603kg/m3
氣體密度(0℃，101.325kPa)：    3.946 kg/m3
相對密度(氣體，0℃，101.325kPa)：  3.05
氣液容積比(15℃，100kPa)：436 L/L
比容(21.1℃，101.325kPa)：0.2747m3/kg
臨界溫度：    -45.6℃
臨界壓力：    3739kPa
臨界密度：    629kg/m3
壓縮系數：

熔化熱(-186.8℃)：    7.609 kJ/kg
氣化熱(-127.94℃，101.325kPa)：  135.65 kJ/kg
比熱容(氣體，25℃，101.325kPa)：Cp=696 J/(kg·K) Cv=602J/(kg·K)
比熱比(氣體，25℃，101.325kPa)：Cp/Cv=1.157
蒸氣壓(-180.65 C)：0.20 kPa (-120℃)：165 kPa (-50℃)：3220 kPa
粘度(101.325kPa，0℃，氣體)：0.0161 mPa·S (-60.0℃，液體)：0.170 mPa·S
表面張力(-80.0℃)：6.4 mN/m
導熱系數(101.325kPa，0℃)：0.01503 w/(m·K) (液體，-60.0℃)：0.07196 w/(m·K)
折射率(-73℃)1.151
四氟化碳在常溫常壓下為無色無臭有輕微醚味的氣體。空氣中不燃燒，是比較穩定的無毒物質。但是在高溫時，或與可燃氣體一同燃燒時，分解出有毒的氟化物。在1000℃以上能與二氧化碳形成羰基氟。微溶于水，在25℃，101.325kPa時，水中溶解度為0.0015%(重量)。有輕微的水解作用。

四氟化碳制備方法：

1.由碳與氟反應，或一氧化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲烷與氟化氫反 應，或四氯化碳與氟化銀反應，或四氯化碳與氟化氫反應，都能生成四氟化碳。四氯化碳與氟化氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經水洗、 堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，最后經精餾而得成品。

2.預先稱取5～10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾 合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應，反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續進行，生成氣 體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，將其通過裝有氫氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化硅，隨后通過硅膠和五氧化二磷干燥塔得到最終產品。

3.以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中，緩緩通入高濃氟氣，并通過加熱器加熱、供氟速率和 反應爐冷卻控制反應溫度。產品經除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進 行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。